瑞能半导体新推出第三代G3 肖特基二极管，电压范围覆45V/65V/100V/150V，产品组合丰富，多种封装 TO220/TO220F/ DPAK 可供客户选用。G3 肖特基二极管，采用新一代的 TMBS 结构设计，实现超低VF和较小IR的完美组合，可以广泛应用于高频 SMPS 电源，PC适配器，照明，车载 DC/DC 转换器。

　　国内碳化硅器件研发企业「清纯半导体」日前宣布发布国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品空白，使得国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。据悉，公司首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单，后续将陆续推出该平台下的系列规格产品。

　　Wolfspeed 的最新一代碳化硅（SiC）功率模块旨在凭借更低的损耗、更高的功率密度和更小的尺寸来满足以上需求。CRD600DA12E-XM3 包含两组 CAB450M12XM3 功率模块，每组均带有 CGD12HBXMP 栅极驱动器。总体设计目标是采用低成本、低复杂度的高载流量、低电感设计，最大限度提高性能。

　　日本的研究小组开发出一种不使用贵金属制坩埚的新型晶体生长方法（冷坩埚氧化物晶体生长方法），并成功制备出有望作为下一代功率半导体的氧化镓晶体（最大直径约5cm）。该方法是将氧化镓原料装入有空隙的框体中，通过高频线圈产生磁场，直接加热氧化镓原料。这种加热方法类似于通过微波直接加热食物的微波炉。

　　日前，比亚迪半导体进一步扩大了车规级8位通用MCU系列产品阵容，推出车规级8位MCU BS9000AMXX系列，客户端应用开发项目已全面启动。比亚迪半导体产品阵营包括业级通用MCU芯片、工业级三合一MCU芯片、车规级触控MCU芯片、车规级通用MCU芯片以及电池管理MCU芯片等，累计出货量达到了20亿颗。

　　4月12日，时代电气发布公告称子公司中车时代半导体拟4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。据披露，该项目建成达产后，将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线英寸SiC芯片线英寸SiC芯片线片/年。

　　近日，松山湖管委会官网公布了《东莞市生态园2022年度土地征收成片开发方案》征求意见稿。拟征收地块面积6.316公顷，合计94.7亩，后续将用于保障东莞市天域半导体科技有限公司半导体项目的落地。据披露，天域半导体碳化硅外延材料研发及产业化项目，用于碳化硅外延关键技术的研发及全球首条8英寸碳化硅外延晶片生产线的建设。

　　据《东莞日报》消息，4月22日，东莞在寮步横坑万荣工业智造中心项目现场举行二季度重大项目集中开工活动，纳入二季度集中开工的重大项目共42个，总投资约529亿元。其中，广东光大科研制造中心项目选址东莞市松山湖生态园，位于东莞市东部智能制造和东莞新材料产业基地，项目一期投资100亿元，用地面积约390亩，预计于2025年建成投产，全面达产后销售收入约149.4亿元。项目预期可牵引带动形成第三代半导体产业集群，助力东莞市“十四五”期间建成华南地区第三代半导体材料及应用创新重要基地。

　　为进一步提高碳化硅晶片的产量，天达晶阳碳化硅晶片项目将再投资7.31亿元，建设400台套完整的碳化硅晶体生产线英寸碳化硅晶片的年产能将达到12万片。

　　4月14日，中泰恒创科技有限公司（以下简称“中泰恒创”）与中汇环球集团有限公司（以下简称“中汇环球”）就“拓展碳化硅SiC芯片市场”项目举行签约仪式。此次中泰恒创与中汇环球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市场方向。碳化硅SiC的特性在于可经受高压、高温和高辐射，属于第三代半导体的核心材料，应用层面覆盖5G通信和国防军工业这样的高端技术行业，以及许多新能源领域，发展前景十分广阔。

　　据厦门火炬高技术产业开发区消息，位于高新区同翔高新城（翔安片区）的瀚天天成碳化硅产业园二期顺利竣工，并于3月底进行联合验收，项目计划今年二季度投产。该项目由国内首家、全球第四家可以生产销售6英寸碳化硅外延晶片的高新技术企业——瀚天天成电子科技（厦门）有限公司投资建设。项目总投资6.3亿元，其中一期项目已建成投产，二期项目2020年11月动工，建设6英寸碳化硅外延晶片生产线及配套设施，建成投产后预计年产值20亿元。

　　4月26日， Wolfspeed位于美国纽约州莫霍克谷（Mohawk Valley）的采用领先前沿技术的 SiC 制造工厂正式开业。这座 200mm 晶圆工厂将助力推进诸多产业从 Si 基产品向 SiC 基半导体的转型。

　　近日，士兰微在接受机构调研时表示，SiC生产线目前还是中试线。公司已着手在厦门士兰明镓公司建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线年三季度实现通线.博蓝特：晶片清洁超能力，碳化硅表面清洗方案

　　博蓝特发明的碳化硅晶片表面清洗方案，不仅操作简单，而且整体处理流程较为环保，能快速有效地清除碳化硅晶片表面的污染物，并在晶片表面氢钝化，提高了碳化硅晶片后续使用效率。

　　4月14日，北方华创发布2021年业绩快报与2022年第一季度业绩预告，报告期内均实现营利双增。2021年，北方华创多项财务指标获得大幅增长，全年实现营收96.83亿元，同比增长59.90%；实现归母净利润10.77亿元，同比大增100.66%。北方华创的电子工艺装备主要包括半导体装备、真空装备和锂电装备，广泛应用于集成电路、半导体照明、第三代半导体、新能源光伏、新型显示等领域。

　　近日，南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授课题组和李携曦助理教授课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展，特色研究成果包括高性能Ga2O3功率二极管制备方法、基于GaNHEMT器件的含碳颗粒物传感器、具有片上光电探测器的GaN基白光发光二极管、非接触式表面粗糙度测量器件和高性能GaN条形发光二极管。相关成果分别发表于国际微电子器件期刊IEEE Transactions on Electron Devices和传感器期刊Sensors and Actuators: B Chemical上

　　近日，韩国30家本土半导体企业以及大学和研究所将于4月14日组建碳化硅产业联盟，以应对急速增长的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga2O3）等宽禁带半导体所引领的新型功率半导体市场，从而形成韩国本土碳化硅生态圈。据悉，联盟内的30家韩国功率半导体企业将共同参与材料、零部件、设备用功率半导体的开发，培育与碳化硅半导体相关的材料、零部件和设备企业的发展。

　　近期，中国科学院半导体研究所照明研发中心与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、美国北卡大学、北京大学量子材料科学中心、福州大学物理与信息工程学院科研团队合作，在氮化物材料生长界面生长过程研究上取得新进展。该工作回答了氮化物MOCVD“异质界面构型和原子级沉积过程”这一科学问题；阐明了氮化物晶格极性选择和演进机制；证实了除晶格失配和热失配之外，自然存在的IDBs是氮化物高位错密度的另一重要起因；该工作将为新型极性异质结体系的发展提供理论指导，同时为提高氮化物外延材料的质量、优化大功率及高频器件的击穿特性提供全新的思路和优化方向。

　　近期在《自然》 期刊上所发表的一项研究中，加州大学伯克利分校的研究人员表示，对芯片的晶体管设计有了重大突破。也就是藉由改良其在晶体管的开关中作为关键作用，而被称为闸极氧化层的情况下，可以在不牺牲运算速度、芯片尺寸的情况下大大降低其耗能。

　　9.北京科技大学刘金龙副研究员：在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件

　　近日，北京科技大学碳基材料与功能薄膜团队刘金龙副研究员与早稻田大学Hiroshi Kawarada教授课题组合作的最新成果发表在《Applied Surface Science》期刊上。通过在(111)金刚石衬底表面沉积SiO2，在高温还原气体条件下构建了金刚石-硅(C-Si)界面，制备了具有C-Si导电通道的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，阈值电压高达-16 V，电流密度为-167 mA/mm，沟道空穴迁移率(μFE)达到200cm2v-1s-1, 界面态密度(Dit)低至3.8×1011cm-2eV-1。

　　2022年4月25日，中国科学院物理研究所官网发布消息称，由陈小龙研究员团队的成功研制出了单一4H晶型的8英寸SiC晶体，晶坯厚度接近19.6mm；此外，还加工出了厚度约2mm的8英寸SiC晶片。目前，相关工作已申请了三项中国发明专利。

　　4月27日，罗姆宣布与台达电子就第三代半导体GaN（氮化镓）功率器件的开发与量产缔结战略合作伙伴关系。双方将利用台达多年来积累的电源开发技术与罗姆的功率元器件开发和生产技术，联合开发适合更多电源系统的600V耐压GaN功率器件。

　　恩智浦半导体宣布与日立能源合作，以加速 SiC 功率半导体模块在电动汽车领域的采用。该项目旨在为由恩智浦先进的高性能 GD3160 隔离式高压栅极驱动器和日立能源的RoadPak汽车SiC MOSFET功率模块组成的动力总成逆变器提供更高效、可靠和功能安全的基于SiC MOSFET 的解决方案。

　　2022年国重项目又布局了一个与电网相关的中低压碳化硅项目——“3300-6500V SiC MOSFET器件产品化开发和工程化应用，其应用包括高铁和智能电网两个领域，整体目标是在‘十四五’期间，实现中低压碳化硅器件的商业化量产。”而且国产碳化硅器件的研发也取得了突破性进展，即将在电网中得到示范应用。今年国网将在雄安新区建设一个全碳化硅的电力电子柔性变电站，采用的是全国产的6500V/400A的SiC MOSFET模块。

　　近日，深圳市集成电路测试验证工程技术中心（简称“IC测试中心”）和深圳市集成电路设计龙岗服务平台（简称“IC设计龙岗平台”）在龙岗区宝龙街道智慧家园正式启动运营。该项目是深圳市科技创新委员会与龙岗区人民政府合作共建的公共技术服务平台，汇聚了国家集成电路设计深圳产业化基地专业性公共技术服务平台优质资源和服务，通过搭建集成电路设计、测试、验证、研发、服务一体化平台，助力龙岗打造集成电路产业特色集聚区。

　　4月8日，深圳市人民政府发布了《关于加快培育壮大市场主体的实施意见》（以下简称《意见》），围绕生物医药、医疗器械、集成电路、新材料

　　等重点领域，激发市场主体的发展活力、竞争活力、创新活力，对符合条件的企业给予最高1000万元资助。《意见》自2022年4月8日起施行，有效期至2025年12月31日。4.安徽、山东接连发利好政策，发展第三代半导体！

　　4月8日，安徽省发布《安徽省“十四五”新材料产业发展规划》（以下简称《规划》）。《规划》指出，半导体材料方面，将聚焦新能源、先进存储、智能语音、智能电动汽车、下一代显示技术、精准医疗等领域，巩固提升合肥、池州现有半导体材料优势地位，重点发展大尺寸硅片等第一代半导体材料，高纯磷化铟（InP）衬底材料、氮化镓材料等第二/三代半导体材料以及封装测试材料等。

　　4月6日，山东省政府印发了《“十大创新”2022年行动计划》《“十强产业”2022年行动计划》《“十大扩需求”2022年行动计划》。《十强产业》中表示，将突破一批“卡脖子”技术。聚焦集成电路、高端软件、计算机及外设和智能家电4条产业链。提升碳化硅衬底生产技术水平和市场规模，构建第三代半导体领域新优势。

　　近。