第三代半导体产业是现代社会发展的基石，在光电子、大功率器件和高频微波器件等应用方面有着广阔的前景，但随之而来的热效应却严重制约其性能，热量堆积无法迅速消散导致部分器件性能仅能发挥10%，影响器件稳定性。

　　本专利针对半导体“热点”问题，创造性地采用高导热高绝缘金刚石散热，解决了金刚石浸润性差难以直接与半导体晶圆连接的问题，为热流疏散创造新通路，实现超高热流密度组件高效散热，器件功率密度显著提升，有效提升其性能、寿命及稳定性，助力第三代半导体的推广应用。

　　目前，获奖专利已成功应用于GaN基雷达组件、智能芯片等高热流应用场景，市场前景广阔。并与相关单位进行产学研联合开发，实现了本发明专利成果的产出，加快了本发明专利的产业化进程，也为新一代金刚石材料产业高质量发展奠定基础。