(绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器件。它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。本文将对MOSFET和IGBT进行详尽、详实、细致的比较分析。

　　MOSFET：MOSFET是一种由金属氧化物绝缘体（MOS）构成的双极性晶体管。它由源极、漏极和栅极组成。在MOSFET中，源极和漏极之间的

　　IGBT：IGBT是一种通过结合MOSFET和双极型晶体管的特点，以达到高阻抗控制和低开启电压的功率晶体管。IGBT有三个极：发射极、集电极和栅极。它将栅极的控制转换为集电极与发射极之间的电压。

　　综上所述，MOSFET和IGBT在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。MOSFET适用于低电压、高频率的应用，具有快速开关、低功率损耗和高效率等优势；而IGBT适用于高电压、高电流和低频率的应用，具有高电压承受能力、较好的热稳定性和高可靠性等优势。

　　体二极管，当对应的开关管导通时二极管有电流经过，因而二极管的恢复特性决定了Eon损耗。所以，选择

　　的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。

　　建模 /

　　的关联 /

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