快克股份是电子装联精密焊接智能装备及成套解决方案的领先供应商,产品覆盖消费电子、新能源汽车、精密电子组装、半导体封装等下游领域。
2010 年锡焊机器人系列及装联用点胶机器人系列正式推出,迅速开拓了国内外主流电子厂商的市场。
2013 年,公司推出为定制化的柔性自动化生产线年积极布局微组装半导体封装检测领域,2021年半导体封装设备贡献营收,实现从0到1的突破。
截至2022年12月4日,金春为公司第一大自然人股东,通过其本人持股100%的投资控股平台GOLDEN PRO和本人持股50%的投资控股平台富韵投资间接持股,可控制公司合计39.665%的股份表决权。
戚国强为公司第二大自然人股东,直接持股8.53%,通过其本人持股50%的投资控股平台富韵投资间接持股,除此之外,富韵投资、GOLDEN PRO、戚国强、珠海阿巴马资产管理有限公司-阿巴马悦享红利 60 号私募证券投资基金系一致行动人,戚国强和金春夫妇合计共持有本公司 64.18%的股份表决权。
2019年2月22日,公司通过了《关于向激励对象首次授予限制性股票与股票期权的议案》,同意向 178 名激励对象授予 305.50 万股限制性股票,向 181 名激励对象授予 227.25 万份股票期权:
1)限制性股票/股票期权的限售期/等待期分别为自首次授予登记完成之日起12个月、24 个月、36 个月; 限制性股票在解除限售前不得转让、用于担保或偿还债务。
2)限制性股票/股票期权的首次授予第一/二/三个解锁期和行权期分别为自首次授予登记日起12个月-24个月 / 24个月-36个月 / 36个月-48个月,解除限售/行权比例分别为40% / 30% / 30%。
解除限售/行权期内,除需满足激励对象获授限制性股票/股票期权的条件外,还需满足考核条件,激励对象获授的限制性股票/股票期权方可解除限售/行权;
2)个人绩效考核:以优秀、良好、合格和不合格评级,分别能解除限售/行权比例100% / 90% / 80% / 0%。
公司部分核心技术人员兼任公司高管,助力公司高质量的技术发展。公司的高管层或具有较高的技术研发背景或具有较高的管理能力,协同合作,以技术驱动公司产品升级、公司发展。
l 金春,女,毕业于上海科学技术大学物理系半导体物理与器件专业及中欧国际工商学院工商管理专业,硕士学历。1994 年开始创业,于1998年创立快克设备厂,产品主要为通用型锡焊装联工具;2006 年设立速骏有限公司后,快克产品线月至今任快克股份董事长。
l 戚国强,男,毕业于上海科学技术大学无线电电子学系无线电技术专业,本科学历。曾任常州无线电专用工具厂(现常州托普电子有限公司)助理工程师、快克设备厂厂长、快克设备总经理。2006 年 6 月起在速骏有限工作,曾任执行董事、董事、总经理;戚国强作为快克科研团队核心人物,2003 年推出控温无铅焊台;2010 年推出了锡焊机器人系列及装联用点胶机器人系列,2013 年推出定制化的柔性自动化生产线月至今任快克股份董事、总经理。
l 刘志宏,男,澳门城市大学工商管理专业毕业,硕士研究生学历。历任常州托普电子有限公司业务员、快克设备厂业务员、快克设备销售经理;2006年6月至 2012年12月在常州速骏电子有限公司工作任董事、副总经理。2012 年 12月至今任快克股份董事、副总经理;兼任快点精机(苏州)有限公司执行董事和总经理。
l 窦小明,男,毕业于东南大学电子工程系真空技术及设备专业,工学学士学位。历任常州市钟表总厂工程师、快克设备厂工程师、快克设备技术主管;2006 年6 月至 2012年12 月在常州速骏电子有限公司任技术主管;2012年12 月至今任公司董事、副总经理。
公司的产品具体包括精密焊接装联设备、视觉检测制程设备、固晶键合封装设备和智能制造成套设备四大类。产品广泛应用于智能终端、新能源、新能源汽车、智能物联、半导体等高速发展行业。
l 精密焊接装联设备:公司主要创收产品,细分产品包含智能焊接工具、BGA 返修设备、通用焊设备、选择性波峰焊设备、自动搪锡设备、激光焊接设备、热压焊接设备、精密点胶设备。
l 视觉检测制程设备:细分产品包含自动光学检测(AOI)设备和激光打标设备,AOI设备主要用于检测元器件和焊点的缺陷,激光打标设备利用激光束标记电子器件。
l 固晶键合封装设备:公司立足于国家半导体封装设备国产化战略方向,自主研发、产学研合作、成立海外研发机构、并购扩张、产业基金合作等多措并举,聚焦高端固晶、视觉检测、纳米银烧结、真空共晶焊、芯片载板激光清洁、芯片封装激光打标等半导体封装设备,2021年半导体封装设备开始少量销售。
l 智能制造成套设备:是根据客户需求结合前三大类产品制作集成后的产品,包含5G环形器智能组装生产线、智能终端自动化组装生产线、新能源汽车PTC智能组装生产线和新能源汽车毫米波雷达智能组装生产线,应用于通讯、智能穿戴、消费电子、新能源汽车、新能源领域。
经营业绩整体稳步提升。2017-2021年,公司主营业务收入每年都实现增长,从3.62亿元增长至7.81亿元, CAGR21.2%,2021年公司营收取得大幅增长,增长率45.90%,2022年前三季度,公司营收6.63亿元,同比增长17.82%;2017-2021年,公司归母净利润由1.32亿元增长至2.68亿元,CAGR19.37%,2021年,公司利润水平显著提升,归母净利润同增51.06%,2022年前三季度归母净利润2.21亿元。
2021年公司形成四大产品线:其中,精密焊接装联设备业务实现营业收入6.28亿元,同比增长31.56%;视觉检测制程设备实现营业收入0.88亿元,同比增长413.55%;智能制造成套设备实现营业收入0.61亿元,同比增长68.53%;新增半导体封装设备类业务,固晶键合封装设备实现营业收入约0.03亿元。
分地区来看,外销毛利率略微大于内销毛利率,2020年尤为明显。主要原因系外销收入具备13%的出口退税率,公司为出口产品支付的税款可以申请退税,外销成本占比较低,因此外销毛利率略高于内销毛利率。
期间费用率同比2019年小幅增高;2021年至22前三季度,研发费率上升明显、财务费用率大幅下降外,其余两项费用率同比基本持平。
(1)第一代半导体材料主要是以锗(Ge)和硅(Si)为代表,在20世纪50年代,锗基半导体器件占据主导地位,主要应用于低压、低频、率晶体管以及光电探测器中,到了60年代,硅基半导体因为相对优良的耐高温、抗辐射性能、低廉的价格和庞大的储量,逐步取代锗基,成为主流,延续至今。
以硅为核心的第一代半导体材料,直接促进了以芯片为主的微电子产业发展,在手机、电脑、消费电子、通信、航空航天、国防军工、光伏等领域广泛应用,虽然第一代半导体可以制作复杂的功耗较低的逻辑芯片,但受限于硅的自身性能,硅基半导体难以在高温、高频、高压等环境中使用,并且其禁带宽度、电子迁移率较低,在半导体产业化过程中遇到瓶颈,由此催生了化合物半导体,即第二代、第三代半导体的发展。
(2)第二代半导体材料主要是以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表的化合物半导体材料。进入20世纪90年代后,以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体材料开始崭露头脚,其中GaAs技术最为成熟,应用最广。
GaAs、InP可以制造高速、高频、大功率的超高速集成电路、高性能微波、毫米波器件、激光器和发光电子器件,开拓了光纤及移动通信的新产业,广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光纤通信、无线区域网络、卫星定位、国防军工、航空航天等领域。
(3)第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的半导体材料。21世纪,现代工业对高功率、高电压、高频率电子器件的需求陡增,这对半导体材料的禁带宽度、击穿电场强度、电子饱和速率、热导率等关键参数提出了更加严苛的要求,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)脱颖而出,在功率半导体、新能源汽车、光伏风电、半导体照明、5G基站、特高压、光电子等领域有不可替代优势。其中,碳化硅(SiC)是第三代半导体材料市场主流。
SiC功率器件的优势:SiC功率器件可应用于汽车、能源和工业等诸多领域,其中汽车是第一大应用领域,尤其是新能源车,其关注续航和充电问题,SiC器件体积可缩小到IGBT的1/3以上,重量也可减少40%以上,且不同工况下SiC功耗降幅达60%以上,采用SiC器件的车型能获得3%-5%的续航里程提升,目前已有特斯拉Model3、比亚迪汉、蔚来ES7/ET7/ET5、小鹏G9等车型的逆变器、车载充电机(OBC)、DC/DC转换器等部件采用SiC功率模块;
除此之外,SiC功率器件应用于充电桩可缩短充电时间,应用于服务器电源可以提高能效,降低系统成本,应用于工业驱动电机可以实现紧凑轻量设计,降低总拥有成本,应用于光伏,可以减小系统尺寸、重量,降低安装成本。
在SiC器件厂商中,意法半导体和Wolfspeed的SiC收入在2021年同比增长超过50%,与全球SiC器件市场57%的增长一致;英飞凌以工业应用为基础,进入逆变器主营业务,实现了126%的增长;Onsemi也在2021年实现强劲的增长。SiC领域发生了多次并购以确保供应,这将会成为大厂的必争之地。
根据化学工业出版社出版、中国电子学会电子封装专业委员会组织译校的《电子封装材料与工艺》、《电子封装工艺设备》等权威资料,宏观意义的电子封装包括晶圆级封装(零级封装)、芯片级封装(一级封装)、器件及板级封装(二级封装)、系统级装联/组装(封装),从半导体产业链看,零级封装和一级封装位于上游,称为半导体封装;二级封装为电子装联,处于中游;封装将二级装联形成的器件组装成整机,位于下游。
电子装联精密焊接工艺处于产业链的中间核心环节,紧邻上游半导体封装环节,基于电子装联和封装之焊接工艺具有相通性,基于电子装联SMT 制程和半导体封装制程相融发展,如COB 工艺是芯片直接贴装到PCB上,SiP 封装工艺制程中包含多种SMT制程设备。
公司针对功率器件/IGBT 模组不同封装工艺要求和产能需求,提供锡膏固晶+真空共晶炉方案或锡片固晶+甲酸共晶炉方案, 开发 IGBT/Clip 固晶机, 搭配 Bonding 焊线机及芯片封装激光打标和激光清洁设备,公司固晶机所用工艺为flip chip工艺。
面向第三代半导体SiC功率芯片布局纳米银烧结设备,“第三代半导体功率芯片微纳金属烧结工艺及设备研发项目”被江苏省工信厅认定为关键核心技术(装备)攻关项目,旨在突破“卡脖子”技术,实现国产替代。
公司在半导体固晶机方面的主要竞争者为ASMPT(系ASM子公司)。其中,ASMPT成立时间较早,营收体量在公司营收体量的20倍以上,公司由于布局半导体封装固晶设备时间相对较晚,2021年实现从0到1的突破,固晶机营收占比仅为0.36%,明显低于ASMPT。
ASMPT的SIPACE CA针对先进封装,可以完成芯片贴装(Die Attach)或者倒装焊接(Flip Chip), 每小时可加工多达46,000个倒装芯片或30,000个芯片贴装组件,支持4英寸至12英寸的晶圆加工,精度可以达到10 µm @ 3 s,公司在技术指标等方面对标ASMPT等国际品牌产。