手册上参数,一般基于环境温度为25℃时测量的。实际上很多MOS能在,环境温度为80℃以上正常工作。
1、 开启阈值电压(Vgsth):有些MOS管阈值电压不到1V,MOS管就能开始导通,有的MOS管开启电压至少2V。
3、栅极和源极之间的最大值(Vgs):当MOS管开始导通时,这个电压值较小,当栅极和源极间的电压值达到一个值时,MOS管才能完全导通。加载这两端的电压值也有个极限,不能超过给出的最大值。
4、最大耐压值(Vdss):加载到D极和S极间的最大电压值。通过MOS管加载到负载上的电压值,一定要小于最大耐压值,而且留有足够的余量。
5、Vbr击穿电压:在G极和S极间的电压值为0时,在D极和S极间加载电压,当电压值达到多少V时,MOS管被击穿。
6、导通电阻:我们希望它的电阻越小好,电阻越小,功耗就越小,发热量就越小。一般为几十毫欧,小的能达到几毫欧。
7、冲击电流(Idm):负载启动的瞬间,可以有很高的冲击电流,包括浪涌等。这个冲击电流一般为保持工作电流的4倍。
8、漏电流:开启电压为0时,MOS管没导通时,在D极和S极加载电压时,D极和S极之间会有很小的电流。
9、开启时间、上升时间、关断时间、下降时间:这4个参数说明MOS管的开速度,MOS管用在高频信号电路中,这个参数很重要。比如一个频率为50Khz的PWM波,有高电平和低电平,MOS管需要不停的关闭和打开,如果MOS管导通和关闭速度不够,这个PWM波不能完整传输。
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1、负载电流IL --它直接决定于MOSFET的输出能力;2、输入-输出电压–它受MOSFET负载占空比能力限制;3、开关频率FS–
加速温升。4、ID(导通电流):需要注意的是,这个电流值一般是在充分散热的条件下测出来的,是实验室条件下的
,现在想用其他的替代。设计要求是120℃的环境下,最大电流30A能持续工作。我找了几个相近的,不知道适不适合,请大家指教。IPD50P04P4-13 ; DMP4010SK3Q ;ATP114 ;有没有合适的
:1.开启电压VT·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道
中 寄生电阻、电感、电容过大过小可能对双闭环电路产生的短路/短路故障,根据输出的电压波形做具体的分析判断,可以倒推出
,大家熟悉的必然是Ids电流,Ron导通电阻,Vgs的阈值电压,Cgs、Cgd、Cds这几项,然而在高速应用中,开关速度这个指标比较重要。上图四项指标,第一项是导通延时时间,第二项
1.开启电压VT开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道
。一般在十分之几至几mA/V的范围内。6.导通电阻RON导通电阻RON说明了VDS对ID的影响,是漏极特性某一
主要有两个,持续工作最大电流IDM,最大单次脉冲电流IDM,这两个都不太适合来评价我的这种用法是否可行,不知道
:电压范围:-200V~+900V电流范围:-95A~250AIGBT电压范围:270V~1200V电流范围:40A~150A
不理解,Continuous Drain Current (Package limited)=100A,Continuous Drain Current
管标称的电流值,一般需要较良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。4.
博客也大半年没更新了,大半年的时间因为做着其他的项目,对蓝牙的应用少了,更换MCU等原因。忙了个大半年时间,今天突然看到博客,才想起我的博客还有许多没写。今天我就不讲技术了,
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本帖最后由 hrbcw 于 2014-1-8 11:36 编辑 如下图中的可调电源:1. 如何将Q改成
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代理骊微电子申请。
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